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首页 全部分类 NGTB30N120IHSWG vs AUIRG4PH50S

NGTB30N120IHSWG备选型号: AUIRG4PH50S

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 箱体转运
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB30N120IHSWG
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    1.2kV
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    192W
    未说明
    未说明
    3
    Single
    192W
    Standard
    无卤素
    N-CHANNEL
    1.2kV
    60A
    1200V
    2.4V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    220nC
    200A
    -/210ns
    1mJ (off)
    20V
    6.5V
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRG4PH50S
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    3
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    200W
    -
    -
    -
    Single
    200W
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.7V
    57A
    1200V
    1.7V @ 15V, 33A
    -
    167nC
    114A
    32ns/845ns
    1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
    20V
    6V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    9 Weeks
    通孔
    SILICON
    3
    COLLECTOR
    TO-247AC
    62 ns
    2170 ns
    无
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