NGTB30N120LWG备选型号: IHW30N100R
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- JEDEC-95代码
- 辐射硬化
- ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120LWG IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)通孔TO-247-3NO3SILICON1.2kV1.75V-55°C~150°C TJTube2011e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)560W未说明未说明3Single560WCOLLECTORStandardMOTOR CONTROL无卤素N-CHANNEL1.2kV60A1200V167 ns2.2V @ 15V, 30A596 ns沟渠现场停车420nC240A136ns/360ns4.4mJ (on), 1mJ (off)20V6.5V21.08mm16.26mm5.3mm无SVHC符合RoHS标准无铅--
- IGBT 1000V 60A 412W TO247-3-通孔TO-247-3NO3SILICON1kV1.75V-40°C~175°C TJTube2008e3-Obsolete1 (Unlimited)3-TIN412W--3Single412WCOLLECTORStandard-不含卤素N-CHANNEL1kV60A1000V-1.7V @ 15V, 30A988.4 ns沟渠现场停车209nC90A-/846ns2.1mJ (off)20V6.4V----符合RoHS标准无铅TO-247AC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH25T120SMD-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT | 对比 | |
![]() | IHW30N100R | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 | 对比 |
![]() | IRG8P40N120KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC | 对比 |




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