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首页 全部分类 NGTB30N60IHLWG vs STGW30H60DFB

NGTB30N60IHLWG备选型号: STGW30H60DFB

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  • ECCN 代码
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  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • ON Semiconductor
    NGTB30N60IHLWG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB30N60IHLWG IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    6.500007g
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    250W
    3
    Single
    Standard
    250W
    无卤素
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    400 ns
    2.3V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    130nC
    150A
    70ns/140ns
    280μJ (off)
    20V
    6.5V
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30H60DFB
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube
    -
    20 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    -
    3
    38.000013g
    600V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    260W
    -
    Single
    Standard
    260W
    -
    -
    600V
    60A
    53 ns
    2V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    149nC
    120A
    37ns/146ns
    383μJ (on), 293μJ (off)
    -
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    未说明
    未说明
    STGW30
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