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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥31.774408
10
¥29.975854
100
¥28.279108
500
¥26.678407
1000
¥25.168306
ON Semiconductor NGTG30N60FLWG
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- 对比
NGTG30N60FLWG
1807-NGTG30N60FLWG
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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ON SEMICONDUCTOR NGTG30N60FLWG IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NGTG30N60FLWG详情
ON Semiconductor NGTG30N60FLWG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 21 hours ago)
表面安装
NO
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
引脚数
3
Test Conditions
400V, 30A, 10 Ω, 15V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
已出版
2013
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
250W
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
250W
输入类型
Standard
无卤素
无卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
60A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 30A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
170nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
83ns/170ns
开关能量
700μJ (on), 280μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
宽度
5.3mm
长度
16.25mm
高度
21.4mm
RoHS状态
符合RoHS标准
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
NGTG30N60FLWG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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