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首页 全部分类 NGTB30N60L2WG vs IRGP6660D-EPBF

NGTB30N60L2WG备选型号: IRGP6660D-EPBF

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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • ON Semiconductor
    NGTB30N60L2WG
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    175°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    225W
    not_compliant
    Single
    Standard
    225W
    N-CHANNEL
    1.6V
    100A
    70 ns
    1.6V @ 15V, 30A
    166nC
    60A
    100ns/390ns
    310μJ (on), 1.14mJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP6660D-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A TO247AD
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    330W
    -
    Single
    Standard
    330W
    -
    1.95V
    95A
    70 ns
    1.95V @ 15V, 48A
    95nC
    144A
    60ns/155ns
    600μJ (on), 1.3mJ (off)
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    3
    6.500007g
    1.65V
    2014
    未说明
    未说明
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