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首页 全部分类 NGTB40N120IHRWG vs FGH40T120SMD-F155

NGTB40N120IHRWG备选型号: FGH40T120SMD-F155

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 连续集电极电流
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB40N120IHRWG
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 384000mW 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    6.500007g
    1.2kV
    2.3V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    384W
    未说明
    未说明
    3
    Single
    Standard
    384W
    无卤素
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    1200V
    2.55V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    225nC
    120A
    -/230ns
    950μJ (off)
    20V
    6.5V
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    -
    3
    6.39g
    1.2kV
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    555W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    1200V
    2.4V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    370nC
    160A
    40ns/475ns
    2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
    25V
    7.5V
    24.75mm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    通孔
    555W
    40 ns
    65 ns
    175°C
    80A
    无
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