Infineon Technologies IRG8P50N120KD-EPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.500007g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Current-Collector (Ic) (Max)

80A

Test Conditions

600V, 35A, 5 Ω, 15V

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

350W

Reach合规守则

unknown

元素配置

Single

输入类型

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

170 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 35A

闸门收费

315nC

集极脉冲电流（Icm）

105A

Td（开/关）@25°C

35ns/190ns

开关能量

2.3mJ (on), 1.9mJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅