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首页 全部分类 NGTB40N120LWG vs STGWA40M120DF3

NGTB40N120LWG备选型号: STGWA40M120DF3

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  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 基本部件号
  • 反向恢复时间
  • ON Semiconductor
    NGTB40N120LWG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB40N120LWG IGBT, 1200V, 40A, TO-247-3
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    260W
    未说明
    未说明
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    260W
    MOTOR CONTROL
    无卤素
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    1200V
    178 ns
    2.35V @ 15V, 40A
    565 ns
    沟渠现场停车
    420nC
    320A
    140ns/360ns
    5.5mJ (on), 1.4mJ (off)
    20V
    6.5V
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGWA40M120DF3
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGWA40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    TO-247-3
    -
    3
    38.000013g
    -
    1.2kV
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    468W
    未说明
    未说明
    -
    Single
    -
    Standard
    468W
    -
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    1200V
    -
    2.3V @ 15V, 40A
    -
    沟渠现场停车
    125nC
    160A
    35ns/140ns
    1.03mJ (on), 480μJ (off)
    20V
    7V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    30 Weeks
    通孔
    STGWA40
    355 ns
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