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首页 全部分类 NGTB50N120FL2WG vs HGTG27N120BN

NGTB50N120FL2WG备选型号: HGTG27N120BN

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 接通时间
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB50N120FL2WG
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V/50A FAST IGBT FSII
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    1.2kV
    2.2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    535W
    未说明
    未说明
    3
    Single
    Standard
    535W
    N-CHANNEL
    1.2kV
    100A
    256 ns
    1200V
    2.2V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    311nC
    200A
    118ns/282ns
    4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
    20V
    6.5V
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG27N120BN
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG27N120BN IGBT Single Transistor, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    1.2kV
    2.45V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    500W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    72A
    -
    1200V
    2.7V @ 15V, 27A
    NPT
    270nC
    216A
    24ns/195ns
    2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
    -
    -
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    3
    LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
    8541.29.00.95
    1.2kV
    72A
    500W
    COLLECTOR
    24 ns
    电源控制
    42 ns
    72A
    360 ns
    无
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