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首页 全部分类 NGTB50N60S1WG vs HGTG20N60A4

NGTB50N60S1WG备选型号: HGTG20N60A4

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  • 宽度
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  • 无铅
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  • 质量
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  • 附加功能
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  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 极性/通道类型
  • 接通时间
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB50N60S1WG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    417W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    417W
    2V
    100A
    94 ns
    2V @ 15V, 50A
    Trench
    220nC
    200A
    100ns/237ns
    1.5mJ (on), 460μJ (off)
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG20N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 70A 290W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    290W
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    600V
    70A
    -
    2.7V @ 15V, 20A
    -
    142nC
    280A
    15ns/73ns
    105μJ (on), 150μJ (off)
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    6.39g
    SILICON
    3
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    70A
    HGTG20N60
    290W
    COLLECTOR
    15 ns
    电源控制
    12ns
    N-CHANNEL
    28 ns
    160 ns
    20V
    7V
    无
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