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首页 全部分类 NGTG50N60FLWG vs IRGP6650D-EPBF

NGTG50N60FLWG备选型号: IRGP6650D-EPBF

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  • 功率 - 最大
  • 无卤素
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 反向恢复时间
  • ON Semiconductor
    NGTG50N60FLWG
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    600V
    1.65V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    223W
    3
    Single
    Standard
    223W
    无卤素
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    1.9V @ 15V, 50A
    Trench
    310nC
    200A
    116ns/292ns
    1.1mJ (on), 600μJ (off)
    20V
    6.5V
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP6650D-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 50A TO247AD
    -
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    3
    600V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    306W
    -
    Single
    Standard
    306W
    -
    -
    1.95V
    80A
    1.95V @ 15V, 35A
    -
    75nC
    105A
    40ns/105ns
    300μJ (on), 630μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    通孔
    6.500007g
    未说明
    未说明
    50 ns
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