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首页 全部分类 NHPD660T4G vs RURD620CCS9A

NHPD660T4G备选型号: RURD620CCS9A

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  • 最大非代表Pk前进电流
  • 反向电流-最大值
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  • 质量
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 正向电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • JEDEC-95代码
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 二极管配置
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NHPD660T4G
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    超快恢复能力
    自由旋转二极管
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    30μA @ 600V
    3V @ 6A
    CATHODE
    -65°C~175°C
    6A
    600V
    600V
    6A
    1
    30 ns
    60A
    300μA
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RURD620CCS9A
    ON Semiconductor
    12A, 200V, Ultrafast Dual Diode
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    超快软恢复
    自由旋转二极管
    SINGLE
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 200V
    1V @ 6A
    -
    -65°C~175°C
    6A
    -
    200V
    6A
    1
    30 ns
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    260.37mg
    EAR99
    175°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    RURD620CC
    共阴极
    100W
    6A
    60A
    1V
    100μA
    200V
    TO-252AA
    60A
    200V
    1 Pair Common Cathode
    60A
    30 ns
    无
  • 添加型号
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RURD620CCS9A RURD620CCS9A ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 12A, 200V, Ultrafast Dual Diode 对比