NIC9N05TS1备选型号: STS4DNF60L

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 输出的数量
  • 资历状况
  • 输出类型
  • 界面
  • 元素配置
  • 输出配置
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 输入类型
  • 开关类型
  • 每个通道的输出电流
  • 比率-输入:输出
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DIE
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 5 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    0
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    190mOhm
    UPPER
    无铅
    NIC9N05
    0
    R-XUUC-N4
    1
    不合格
    N-Channel
    On/Off
    Single
    低侧
    不需要
    Non-Inverting
    通用型
    2.6A
    1:1
    15V
    52V Max
    过电压
    59V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    190m Ω
    125mOhm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    55mOhm
    -
    鸥翼
    STS4D
    8
    -
    -
    不合格
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    15V
    -
    -
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    4.535924g
    SILICON
    2
    STripFET™
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    60V
    2W
    260
    4A
    30
    增强型MOSFET
    2W
    15 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    55m Ω @ 2A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1030pF @ 25V
    15nC @ 4.5V
    28ns
    10 ns
    4A
    1.7V
    4A
    16A
    逻辑电平门
    1.25mm
    5mm
    4.05mm
    无SVHC
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