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首页 全部分类 NID6002NT4G vs FQD13N06LTM

NID6002NT4G备选型号: FQD13N06LTM

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  • 包装
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 界面
  • 元素配置
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 开关类型
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 比率-输入：输出
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 漏源击穿电压
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 特征
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NID6002NT4G
    ON Semiconductor
    IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    840 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HDPlus™
    2002
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    185mOhm
    65V
    2.5W
    6.5A
    NID6002N
    3
    1
    N-Channel
    6.5A
    On/Off
    Single
    低侧
    2.5W
    不需要
    Non-Inverting
    96 ns
    通用型
    250ns
    60V
    660 ns
    6.5A
    1.85V
    1:1
    14V
    60V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    70V
    185m Ω
    210mOhm
    Auto Restart, Slew Rate Controlled
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD13N06LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    115mOhm
    60V
    -
    11A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    -
    -
    8 ns
    -
    90ns
    -
    40 ns
    11A
    2.5V
    -
    20V
    -
    -
    60V
    -
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    260.37mg
    SILICON
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    115m Ω @ 5.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    350pF @ 25V
    6.4nC @ 5V
    ±20V
    44A
    90 mJ
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