NID9N05ACLT4G备选型号: RFD3055LESM9A

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 输出的数量
  • 输出类型
  • 界面
  • 元素配置
  • 输出配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 开关类型
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 比率-输入:输出
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 电压-负荷
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 故障保护
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 质量
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - NID9N05ACLT4G - MOSFET, N-CH, 52V, 9A, DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    1.74W
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    1
    N-Channel
    On/Off
    Single
    低侧
    增强型MOSFET
    1.74W
    不需要
    DRAIN
    Non-Inverting
    200 ns
    Relay, Solenoid Driver
    SWITCHING
    无卤素
    55V
    9A
    1.75V
    1:1
    15V
    52V Max
    9A
    过电压
    59V
    250pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    90m Ω
    90mOhm
    90 mΩ
    1.75 V
    2.38mm
    6.22mm
    6.73mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    38W
    -
    DRAIN
    -
    8 ns
    -
    SWITCHING
    -
    -
    11A
    3V
    -
    16V
    -
    -
    -
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    3 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    表面贴装
    260.37mg
    107mOhm
    60V
    11A
    N-Channel
    107m Ω @ 8A, 5V
    3V @ 250μA
    350pF @ 25V
    11.3nC @ 10V
    105ns
    ±16V
    39 ns
    TO-252AA
  • 添加型号
集成电路(IC)相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTD3055L170T4G NTD3055L170T4G ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK 对比
NVD3055L170T4G NVD3055L170T4G ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET NFET DPAK 60V 9A 170MOHM 对比