NID9N05ACLT4G备选型号: RFD3055LESM9A
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 输出的数量
- 输出类型
- 界面
- 元素配置
- 输出配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 开关类型
- 晶体管应用
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 比率-输入:输出
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 电压-负荷
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 故障保护
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管技术
- Rds On(Typ)
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 质量
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- ON SEMICONDUCTOR - NID9N05ACLT4G - MOSFET, N-CH, 52V, 9A, DPAKACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON1-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012006e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容1.74W鸥翼3R-PSSO-G21N-ChannelOn/OffSingle低侧增强型MOSFET1.74W不需要DRAINNon-Inverting200 nsRelay, Solenoid DriverSWITCHING无卤素55V9A1.75V1:115V52V Max9A过电压59V250pFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR90m Ω90mOhm90 mΩ1.75 V2.38mm6.22mm6.73mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AAACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3SILICON11A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-2002e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼-R-PSSO-G2---Single-增强型MOSFET38W-DRAIN-8 ns-SWITCHING--11A3V-16V---60V-----3 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tin表面贴装260.37mg107mOhm60V11AN-Channel107m Ω @ 8A, 5V3V @ 250μA350pF @ 25V11.3nC @ 10V105ns±16V39 nsTO-252AA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTD3055L170T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 对比 |
![]() | NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET NFET DPAK 60V 9A 170MOHM | 对比 |




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