ON Semiconductor NID9N05ACLT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

2.5 μs

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

1.74W

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

输出的数量

1

输出类型

N-Channel

界面

On/Off

元素配置

Single

输出配置

低侧

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.74W

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

不需要

箱体转运

DRAIN

输入类型

Non-Inverting

接通延迟时间

200 ns

开关类型

Relay, Solenoid Driver

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

漏源电压 (Vdss)

55V

连续放电电流(ID)

9A

阈值电压

1.75V

比率-输入：输出

1:1

栅极至源极电压(Vgs)

15V

电压-负荷

52V Max

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

故障保护

过电压

漏源击穿电压

59V

输入电容

250pF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Rds On(Typ)

90m Ω

漏源电阻

90mOhm

最大rds

90 mΩ

栅源电压

1.75 V

高度

2.38mm

长度

6.22mm

宽度

6.73mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅