NIF5003NT1G备选型号: IRLL3303TRPBF

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 界面
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 输入类型
  • 开关类型
  • 箝位电压
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 比率-输入:输出
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 栅源电压
  • 特征
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH HD 14A 42V SOT223
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HDPlus™
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    SMD/SMT
    EAR99
    53MOhm
    Tin (Sn)
    42V
    1.9W
    14A
    NIF5003N
    4
    1
    N-Channel
    14A
    On/Off
    低侧
    1.9W
    不需要
    Non-Inverting
    通用型
    42V
    42V
    14A
    1.7V
    1:1
    14V
    42V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    42V
    42V
    53m Ω
    53mOhm
    1.7 V
    Auto Restart, Slew Rate Controlled
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    31mOhm
    -
    30V
    -
    4.6A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.1W
    -
    -
    -
    -
    -
    4.6A
    1V
    -
    16V
    -
    -
    30V
    30V
    -
    -
    1 V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    10 Weeks
    Tin
    SILICON
    4.6A Ta
    4
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 4.6A, 10V
    1V @ 250μA
    840pF @ 25V
    50nC @ 10V
    22ns
    ±16V
    28 ns
    6.5A
    98 ns
    1.8mm
    6.6802mm
    3.7mm
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