Infineon Technologies IRLL3303TRPBF

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

31mOhm

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

31m Ω @ 4.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

840pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

4.6A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.5A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

恢复时间

98 ns

栅源电压

1 V

高度

1.8mm

长度

6.6802mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free