您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NILMS4501NR2 vs NTMFD4902NFT3G

NILMS4501NR2备选型号: NTMFD4902NFT3G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 最大功率耗散
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NILMS4501NR2
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP
    OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
    表面贴装
    表面贴装
    4-PowerDFN
    4
    SILICON
    9.5A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Lead (Sn90Pb10)
    24V
    BOTTOM
    无铅
    240
    not_compliant
    9.5A
    30
    4
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    1500pF @ 6V
    25nC @ 10V
    15ns
    ±10V
    6.5 ns
    9.5A
    10V
    0.016Ohm
    24V
    50 mJ
    电流感应
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFD4902NFT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10.3A 13.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    10
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    排水源头
    2 N-Channel (Dual), Schottky
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 10A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1150pF @ 15V
    9.7nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    13.3A
    20V
    0.01Ohm
    -
    -
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    7 Weeks
    Tin
    1.16W
    SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1.1W 1.16W
    30V
    13.5A
    60A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN2014LHAB-7 DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-UFDFN Exposed Pad MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 对比
NTMFD4902NFT3G NTMFD4902NFT3G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerTDFN MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 对比
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-PowerUDFN MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN 对比