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NJL1302DG备选型号: NJL0281DG

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Reach合规守则
  • 资历状况
  • 极性/通道类型
  • ON Semiconductor
    NJL1302DG
    ON Semiconductor
    Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-5
    5
    SILICON
    260V
    3V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -260V
    200W
    260
    -15A
    30MHz
    40
    5
    PNP
    Single
    200W
    AMPLIFIER
    30MHz
    PNP + Diode (Isolated)
    260V
    15A
    75 @ 5A 5V
    50μA ICBO
    3V @ 1A, 10A
    30MHz
    260V
    5V
    25.98mm
    19.89mm
    4.89mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NJL0281DG
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 260V 15A TO-264
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-5
    5
    SILICON
    260V
    1V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -260V
    180W
    未说明
    -15A
    30MHz
    未说明
    5
    -
    Single
    180W
    AMPLIFIER
    30MHz
    NPN
    260V
    15A
    75 @ 3A 5V
    10μA ICBO
    1V @ 500mA, 5A
    30MHz
    260V
    5V
    26.111mm
    20.02mm
    5.182mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    not_compliant
    不合格
    NPN
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