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首页 全部分类 NJVMJD45H11G vs KSB834WYTM

NJVMJD45H11G备选型号: KSB834WYTM

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 频率
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • ON Semiconductor
    NJVMJD45H11G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 50V 8A DPAK-4
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    50V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.75W
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE
    COLLECTOR
    1.75W
    SWITCHING
    PNP
    PNP
    1V
    8A
    40 @ 4A 1V
    1μA
    1V @ 400mA, 8A
    90MHz
    90MHz
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    KSB834WYTM
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    60V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.5W
    -
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    PNP
    PNP
    60V
    3A
    100 @ 5mA 5V
    100μA ICBO
    1V @ 300mA, 3A
    9MHz
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.31247g
    -500mV
    -60V
    -3A
    9MHz
    KSB834
    不合格
    Single
    1.5W
    9MHz
    60V
    -60V
    -7V
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