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NJW21194G备选型号: MJH6284

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 极性
  • 箱体转运
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • VCEsat-最大值
  • 集电极-基极电容-最大值
  • ON Semiconductor
    NJW21194G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 200W NPN
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    29 Weeks
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    350V
    4V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    200mW
    4MHz
    3
    Single
    200mW
    200W
    AMPLIFIER
    4MHz
    NPN
    NPN
    250V
    16A
    20 @ 8A 5V
    100μA
    4V @ 3.2A, 16A
    4MHz
    250V
    400V
    5V
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJH6284
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 100V 20A TO218
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    -
    通孔
    TO-218-3
    NO
    3
    -
    SILICON
    100V
    -
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    1998
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    160W
    -
    3
    Single
    160W
    -
    AMPLIFIER
    -
    -
    NPN - Darlington
    3V
    20A
    750 @ 10A 3V
    1mA
    3V @ 200mA, 20A
    4MHz
    -
    100V
    5V
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    100V
    not_compliant
    20A
    不合格
    NPN
    COLLECTOR
    4MHz
    20A
    3 V
    400pF
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