ON Semiconductor MJH6284

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-218-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1998

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

160W

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

20A

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

160W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

20A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 10A 3V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 200mA, 20A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

20A

VCEsat-最大值

3 V

集电极-基极电容-最大值

400pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅