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首页 全部分类 NRVB860MFST3G vs MBR8H100MFST1G

NRVB860MFST3G备选型号: MBR8H100MFST1G

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  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 正向电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NRVB860MFST3G
    ON Semiconductor
    Diode Switching 60V 8A Automotive 5-Pin(4 Tab) SO-FL T/R
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    低功率损耗
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    150μA @ 60V
    800mV @ 8A
    CATHODE
    -55°C~175°C
    8A
    800mV
    60V
    8A
    1
    150μA
    60V
    150A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBR8H100MFST1G
    ON Semiconductor
    Diode Schottky 100V 8A Automotive 5-Pin(4 Tab) SO-FL T/R
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    175°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    低功率损耗
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    R-PDSO-F5
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    2μA @ 100V
    900mV @ 8A
    CATHODE
    -55°C~175°C
    8A
    810mV
    100V
    8A
    1
    60nA
    100V
    75A
    ROHS3 Compliant
    Tin
    8A
    75A
    100V
    1.1mm
    6.3mm
    5.3mm
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