ON Semiconductor MBR8H100MFST1G

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

应用

EFFICIENCY

附加功能

低功率损耗

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

2μA @ 100V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

900mV @ 8A

箱体转运

CATHODE

正向电流

8A

工作温度 - 结点

-55°C~175°C

输出电流-最大值

8A

正向电压

810mV

最大反向电压（DC）

100V

平均整流电流

8A

相位的数量

1

峰值反向电流

60nA

最大重复反向电压(Vrrm)

100V

峰值非恢复性浪涌电流

75A

最大正向浪涌电流（Ifsm）

75A

反向电压(直流电)

100V

高度

1.1mm

长度

6.3mm

宽度

5.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant