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首页 全部分类 NRVBB30H60CTT4G vs MBRB30H60CTT4G

NRVBB30H60CTT4G备选型号: MBRB30H60CTT4G

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  • 输出电流-最大值
  • 无卤素
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  • 相位的数量
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  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 二极管配置
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NRVBB30H60CTT4G
    ON Semiconductor
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    SWITCHMODE™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    低功率损耗
    8541.10.00.80
    SINGLE
    鸥翼
    MBRB30H60CT
    3
    R-PSSO-G2
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    300μA @ 60V
    620mV @ 15A
    15A
    -55°C~175°C
    7.5A
    无卤素
    780mV
    60V
    15A
    1
    300μA
    60V
    260A
    1 Pair Common Cathode
    260A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBRB30H60CTT4G
    ON Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    SWITCHMODE™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    175°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    低功率损耗
    8541.10.00.80
    SINGLE
    鸥翼
    MBRB30H60CT
    3
    R-PSSO-G2
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    300μA @ 60V
    620mV @ 15A
    15A
    -55°C~175°C
    7.5A
    无卤素
    780mV
    60V
    15A
    1
    300μA
    60V
    260A
    1 Pair Common Cathode
    260A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    300μA
    260A
    无SVHC
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