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首页 全部分类 NSBA114YDP6T5G vs NSBC123JPDP6T5G

NSBA114YDP6T5G备选型号: NSBC123JPDP6T5G

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  • 晶体管类型
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  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NSBA114YDP6T5G
    ON Semiconductor
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
    408mW
    FLAT
    NSBA1*
    6
    PNP
    Dual
    SWITCHING
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    10k Ω
    47k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    NSBC123JPDP6T5G
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 0.047
    339mW
    FLAT
    NSBC1*
    6
    NPN, PNP
    Dual
    SWITCHING
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    2.2k Ω
    47k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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