NSBA143TF3T5G备选型号: DSCQ00100L
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- 包装
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电阻基(R1)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- HTS代码
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 增益带宽积
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-1123 T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1123350VTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)150°C-55°C254mWDUALFLAT3SingleSWITCHINGPNPPNP - Pre-Biased250mV100mA160 @ 5mA 10V500nA250mV @ 1mA, 10mA4.7 k Ω无ROHS3 Compliant无铅---------------
- Bipolar Transistors - BJT SM SIG BIPLR TRANS FLT LD 0.6x1.0mm-10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1123350VTape & Reel (TR)2010--Obsolete1 (Unlimited)3EAR99---100mWDUALFLAT-SingleAMPLIFIERNPNNPN50V100mA210 @ 2mA 10V100μA300mV @ 10mA, 100mA--符合RoHS标准无铅SILICON130mV150°C TJ8541.21.00.75unknownDSCQ001150MHz150MHz150MHz50V60V7V380μm600μm850μm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NSBC123EF3T5G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SOT-1123 | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SOT-1123 T/R | 对比 | |
| NSBC143TF3T5G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SOT-1123 | TRANS PREBIAS DUAL NPN | 对比 | |
| NSBA123EF3T5G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SOT-1123 | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-1123 T/R | 对比 |


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