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首页 全部分类 NSBC114EPDP6T5G vs NSBA114EDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G备选型号: NSBA114EDP6T5G

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NSBC114EPDP6T5G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    35
    2008
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1.0
    339mW
    FLAT
    未说明
    未说明
    NSBC1*
    6
    不合格
    NPN, PNP
    Dual
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    35 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    10k Ω
    10k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    NSBA114EDP6T5G
    ON Semiconductor
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    50V
    2008
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    338mW
    FLAT
    -
    -
    NSBA1*
    6
    -
    PNP
    Dual
    SWITCHING
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    35 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    10k Ω
    10k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    无
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