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NSBC123EF3T5G备选型号: NSBA123EF3T5G

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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • ON Semiconductor
    NSBC123EF3T5G
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SOT-1123 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1123
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    254mW
    DUAL
    FLAT
    3
    Single
    SWITCHING
    NPN
    NPN - Pre-Biased
    250mV
    100mA
    8 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 5mA, 10mA
    2.2 k Ω
    2.2 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSBA123EF3T5G
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-1123 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1123
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    254mW
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    PNP - Pre-Biased
    250mV
    100mA
    8 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 5mA, 10mA
    2.2 kOhms
    2.2 kOhms
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SOT-1123
    254mW
    50V
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