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首页 全部分类 NSBC143TDXV6T1 vs RN1910FE,LF(CT

NSBC143TDXV6T1备选型号: RN1910FE,LF(CT

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  • 元素配置
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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
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  • 连续集电极电流
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • ON Semiconductor
    NSBC143TDXV6T1
    ON Semiconductor
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    内置偏置电阻
    50V
    500mW
    FLAT
    260
    100mA
    40
    NSBC1*
    6
    不合格
    NPN
    Dual
    357mW
    SWITCHING
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    250mV
    100mA
    160 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    4.7k Ω
    100mA
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1910FE,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    120
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    -
    -
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    4.7kOhms
    100mA
    符合RoHS标准
    -
    12 Weeks
    ES6
    3.005049mg
    100mW
    50V
    50V
    250MHz
    5V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 SOT-563, SOT-666 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor 对比
NSBC114TDXV6T1 NSBC114TDXV6T1 ON Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 SOT-563 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 对比
NSBC114TDXV6T5 NSBC114TDXV6T5 ON Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 SOT-563, SOT-666 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 对比