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首页 全部分类 NSR01L30MXT5G vs BAS70SV

NSR01L30MXT5G备选型号: BAS70SV

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  • 端子位置
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
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  • 输出电流-最大值
  • 平均整流电流（Io）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 二极管配置
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NSR01L30MXT5G
    ON Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA X3DFN2
    5 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    0201 (0603 Metric)
    表面贴装
    表面贴装
    Gold
    2
    SILICON
    1
    2014
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    180mW
    BOTTOM
    无铅
    260
    30
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    500nA @ 30V
    460mV @ 10mA
    100mA
    150°C Max
    0.1A
    100mA DC
    460mV
    30V
    100mA
    500nA
    30V
    2A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BAS70SV
    ON Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers Dual Schottky Barrier Diodes
    -
    -
    SOT-563, SOT-666
    表面贴装
    表面贴装
    -
    6
    SILICON
    2
    -
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    200mW
    -
    FLAT
    260
    30
    Dual
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Schottky
    2.5μA @ 70V
    1V @ 15mA
    70mA
    -55°C~150°C
    0.07A
    -
    410mV
    70V
    70mA
    100nA
    70V
    2.5A
    符合RoHS标准
    无铅
    13mg
    Matte Tin (Sn)
    BAS70SV
    200mW
    2.5μA
    2.5A
    8 ns
    2.5A
    2 Independent
    1.55 ns
    无
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