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首页 全部分类 NSR0620P2T5G vs NSR0130P2T5G

NSR0620P2T5G备选型号: NSR0130P2T5G

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  • 终止次数
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  • 最高工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 元素配置
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  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
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  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
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  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 最大功率耗散
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • 峰值反向电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NSR0620P2T5G
    ON Semiconductor
    NSR06 Series 20 V 2 uA Surface Mount Schottky Barrier Diode - SOD-923
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOD-923
    YES
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    125°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    DUAL
    FLAT
    260
    NSR0620
    2
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    9μA @ 20V
    520mV @ 500mA
    500mA
    10μA
    -55°C~125°C
    1A
    0.5A
    500mA DC
    520mV
    20V
    500mA
    4 ns
    20V
    12pF @ 1V 1MHz
    1A
    1A
    4 ns
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSR0130P2T5G
    ON Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOD-923
    YES
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    125°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    DUAL
    FLAT
    260
    NSR0130
    2
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Schottky
    3μA @ 30V
    525mV @ 100mA
    100mA
    3μA
    -55°C~125°C
    1A
    -
    100mA DC
    525mV
    30V
    100mA
    -
    30V
    -
    1A
    1A
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    200mW
    40
    200mW
    3μA
    430μm
    850μm
    650μm
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