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首页 全部分类 NSS12200LT1G vs NSS40200LT1G

NSS12200LT1G备选型号: NSS40200LT1G

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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NSS12200LT1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    12V
    -130mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    540mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100MHz
    40
    NSS12200
    3
    Single
    540mW
    460mW
    SWITCHING
    无卤素
    100MHz
    PNP
    PNP
    12V
    2A
    250 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    180mV @ 200mA, 2A
    100MHz
    12V
    12V
    7V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    NSS40200LT1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    40V
    -135mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    460mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100MHz
    40
    NSS40200
    3
    Single
    540mW
    460mW
    SWITCHING
    无卤素
    100MHz
    PNP
    PNP
    40V
    2A
    220 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    170mV @ 200mA, 2A
    100MHz
    40V
    40V
    7V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    无SVHC
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