注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥5.709179
10

￥5.386018
100

￥5.081149
500

￥4.793536
1000

￥4.522205

ON Semiconductor NSS12200LT1G

Name: NSS12200LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSS12200LT1G
Price: 5.71 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

NSS12200LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSS12200LT1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

NSS12200LT1G ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR

单价: $

合计: ￥

库存:10

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

NSS12200LT1G详情

技术参数

PDF文档

型号对比

ON Semiconductor NSS12200LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

8 Weeks
触点镀层

Tin
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装

YES
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V
Collector-Emitter Saturation Voltage

-130mV
Number of Elements

1
hFEMin

250
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2007
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
最大功率耗散

540mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
频率

100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

40
基本部件号

NSS12200
引脚数量

3
元素配置

Single
功率耗散

540mW
功率 - 最大

460mW
晶体管应用

SWITCHING
无卤素

无卤素
增益带宽积

100MHz
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

12V
最大集电极电流

2A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 500mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

180mV @ 200mA, 2A
转换频率

100MHz
最大击穿电压

12V
集电极基极电压(VCBO)

12V
发射极基极电压 (VEBO)

7V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

0个相似型号

NSS12200LT1G拓展信息

热销零件