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首页 全部分类 NSS40300MDR2G vs NSS40302PDR2G

NSS40300MDR2G备选型号: NSS40302PDR2G

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  • 元素配置
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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 频率
  • 功率耗散
  • 最大击穿电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NSS40300MDR2G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    40V
    -170mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    783mW
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    不合格
    PNP
    Dual
    653mW
    SWITCHING
    无卤素
    100MHz
    2 PNP (Dual)
    40V
    3A
    180 @ 1A 2V
    100nA ICBO
    170mV @ 200mA, 2A
    100MHz
    40V
    7V
    530ns
    1.5mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSS40302PDR2G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    40V
    115mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    783mW
    鸥翼
    -
    -
    8
    -
    NPN, PNP
    Dual
    653mW
    SWITCHING
    无卤素
    100MHz
    NPN, PNP
    40V
    3A
    180 @ 1A 2V
    100nA ICBO
    115mV @ 200mA, 2A
    100MHz
    40V
    7V
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    100MHz
    783mW
    40V
    无
  • 添加型号
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