ON Semiconductor NSS40302PDR2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

115mV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

783mW

终端形式

鸥翼

频率

100MHz

引脚数量

8

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

783mW

功率 - 最大

653mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

115mV @ 200mA, 2A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅