NSS40500UW3T2G备选型号: MJD210RLG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 频率
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 极性
- 最大击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- TRANS PNP 40V 5A 3-WDFNACTIVE (Last Updated: 1 day ago)2 Weeks表面贴装3-WDFN Exposed PadYES3SILICON40V-310mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)875mWDUAL100MHz3Single1.5WCOLLECTOR875mWSWITCHING无卤素100MHzPNPPNP40V5A180 @ 2A 2V100nA ICBO260mV @ 400mA, 4A100MHz40V7V760ns220ns无ROHS3 Compliant无铅--------------
- TRANS PNP 25V 5A DPAKACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON40V1.8V-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-12.5W-65MHz3Single1.4WCOLLECTOR-AMPLIFIER-65MHz-PNP25V5A45 @ 2A 1V100nA ICBO1.8V @ 1A, 5A65MHz40V8V--无ROHS3 Compliant无铅Tin-25V鸥翼260-5A40MJD210R-PSSO-G2PNP, NPN25V2.38mm6.73mm6.22mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MJD210RLG | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 25V 5A DPAK | 对比 |
![]() | NSS40600CF8T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 8-SMD, Flat Lead | TRANS PNP 40V 6A 8CHIPFET | 对比 |
![]() | 2N6034G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-225AA, TO-126-3 | ON SEMICONDUCTOR - 2N6034G - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, 40 V, 40 W, -4 A, 750 hFE | 对比 |





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