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首页 全部分类 NST3906DP6T5G vs NSBC123TPDP6T5G

NST3906DP6T5G备选型号: NSBC123TPDP6T5G

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  • 元素配置
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  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 转换频率
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  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 最大集极截止电流
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    NST3906DP6T5G
    ON Semiconductor
    TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    SILICON
    40V
    -400mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    280mW
    FLAT
    250MHz
    NST3906D
    6
    PNP
    Dual
    280mW
    350mW
    AMPLIFIER
    250MHz
    2 PNP (Dual)
    40V
    200mA
    100 @ 10mA 1V
    400mV @ 5mA, 50mA
    250MHz
    40V
    40V
    5V
    300ns
    70ns
    400μm
    1.05mm
    850μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSBC123TPDP6T5G
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-963 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    339mW
    FLAT
    -
    -
    6
    NPN, PNP
    Dual
    231mW
    -
    SWITCHING
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    160 @ 5mA 10V
    250mV @ 1mA, 10mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    150°C
    -55°C
    内置偏置电阻比
    500nA
    2.2k Ω
    100mA
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