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NST65011MW6T1G备选型号: NSVT65011MW6T1G
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Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363665V-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2015yes活跃1 (Unlimited)380mWNPN380mW2 NPN (Dual)600mV100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO600mV @ 5mA, 100mA65V100MHz80V无SVHCROHS3 Compliant无铅- ON SEMICONDUCTOR - NSVT65011MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363665V-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2015yes活跃1 (Unlimited)380mWNPN380mW2 NPN (Dual)600mV100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO600mV @ 5mA, 100mA65V100MHz-无SVHCROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC846AS-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363 | 对比 |
 | UMD2NTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | 对比 |
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