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1

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10

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100

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500

￥2.815688
1000

￥2.656314

ON Semiconductor NSVT65011MW6T1G

Name: NSVT65011MW6T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVT65011MW6T1G
Price: 3.35 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVT65011MW6T1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVT65011MW6T1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR - NSVT65011MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

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NSVT65011MW6T1G ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR - NSVT65011MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

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ON Semiconductor NSVT65011MW6T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数

6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2015
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

380mW
极性

NPN
功率 - 最大

380mW
晶体管类型

2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

600mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA
最大击穿电压

65V
频率转换

100MHz
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

0个相似型号

NSVT65011MW6T1G拓展信息

热销零件