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首页 全部分类 NSTB1005DXV5T1G vs NSTB1002DXV5T1G

NSTB1005DXV5T1G备选型号: NSTB1002DXV5T1G

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  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 最大集电极电流
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NSTB1005DXV5T1G
    ON Semiconductor
    TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    SOT-553
    YES
    5
    250mV
    2
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    357mW
    FLAT
    100mA
    NSTB1005DXV5
    5
    NPN, PNP
    Dual
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    50V
    0.1A
    80
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSTB1002DXV5T1G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    SOT-553
    YES
    5
    250mV
    40V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    -
    500mW
    FLAT
    100mA
    -
    5
    NPN, PNP
    -
    SWITCHING
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    250mV
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DUAL
    未说明
    未说明
    不合格
    CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    357mW
    200mA
    80 @ 5mA 10V / 100 @ 1mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
    50V 40V
    250MHz
    250MHz
    6V
    47k Ω
    -200mA
    47k Ω
    300ns
    70ns
    600μm
    1.7mm
    1.3mm
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