ON Semiconductor NSTB1002DXV5T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-553

表面安装

YES

引脚数

5

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA 200mA

Number of Elements

2

hFEMin

250

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

最大功率耗散

500mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

配置

CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率耗散

357mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V / 100 @ 1mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V 40V

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

发射极基极电压 (VEBO)

6V

电阻基(R1)

47k Ω

连续集电极电流

-200mA

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

关断时间-最大值（toff)

300ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅