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首页 全部分类 NSVDTC144EM3T5G vs RN1102MFV,L3F

NSVDTC144EM3T5G备选型号: RN1102MFV,L3F

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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 极性
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    NSVDTC144EM3T5G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723-3
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    50V
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    260mW
    260mW
    NPN - Pre-Biased
    250mV
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    47 k Ω
    47 k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1102MFV,L3F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    50V
    Tape & Reel (TR)
    -
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    150mW
    -
    NPN - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 500μA, 5mA
    10 k Ω
    10 k Ω
    符合RoHS标准
    -
    NPN
    50V
    10V
    100mA
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