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首页 全部分类 NSVMMBT2222ATT1G vs RN1106,LF(CT

NSVMMBT2222ATT1G备选型号: RN1106,LF(CT

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 极性
  • 最大集极截止电流
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    NSVMMBT2222ATT1G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 40V 0.6A SC75
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    3
    40V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    150mW
    150mW
    NPN
    1V
    600mA
    100 @ 150mA 10V
    1V @ 50mA, 500mA
    300MHz
    75V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1106,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    -
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    100mW
    -
    NPN - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    -
    5V
    -
    符合RoHS标准
    -
    NPN
    500nA
    50V
    4.7 k Ω
    100mA
    47 k Ω
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