NSVMMBT5401LT3G备选型号: 2PB710AS,115
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- 元素配置
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 频率转换
- 最大耗散功率(Abs)
- VCEsat-最大值
- 集电极-基极电容-最大值
- Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/RACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON150V-500mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)225mWDUAL鸥翼AEC-Q101Single300MHzPNPPNP500mV500mA60 @ 10mA 5V50nA ICBO500mV @ 5mA, 50mA100MHz-160V-5V-500mA无ROHS3 Compliant无铅-----------------
- TRANS PNP 50V 0.5A SC59---表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-SILICON500mA-150°C TJTape & Reel (TR)2009e3-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)-DUAL鸥翼---PNPPNP--170 @ 150mA 10V10nA ICBO600mV @ 30mA, 300mA140MHz----ROHS3 Compliant-YES8541.21.00.75260unknown402PB710A3R-PDSO-G3不合格SINGLE250mWSWITCHING50V140MHz0.25W0.6 V15pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1313-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R | 对比 | |
![]() | 2PB710AS,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.5A SC59 | 对比 |
| DTA144GKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | 对比 |



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