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首页 全部分类 NSVMMUN2131LT1G vs RN1406,LF

NSVMMUN2131LT1G备选型号: RN1406,LF

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  • 终端形式
  • 参考标准
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • ON Semiconductor
    NSVMMUN2131LT1G
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    246mW
    DUAL
    鸥翼
    AEC-Q101
    Single
    SWITCHING
    PNP
    PNP - Pre-Biased
    250mV
    100mA
    8 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 5mA, 10mA
    2.2 k Ω
    2.2 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1406,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    150°C
    -55°C
    -
    200mW
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    4.7 k Ω
    47 k Ω
    无
    符合RoHS标准
    -
    RN140*
    50V
    250MHz
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