RN1402,LF
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1402,LF

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型号

RN1402,LF

utmel 编号

2541-RN1402,LF

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini

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RN1402,LF
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini

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RN1402,LF详情

Toshiba Semiconductor and Storage RN1402,LF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    S-Mini

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 元素配置

    Single

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    50 @ 10mA 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 250μA, 5mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 最大击穿电压

    50V

  • 频率转换

    250MHz

  • 电阻基(R1)

    10 kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10 kOhms

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & RN1402,LF相似的参数规格。

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