NSVMSB1218A-RT1G备选型号: MMBT5962
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- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- RoHS状态
- 无铅
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- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 转换频率
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- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)12 Weeks表面贴装表面贴装SC-70, SOT-32345V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012006yes活跃1 (Unlimited)150mW150mWPNP500mV100mA210 @ 2mA 10V100μA500mV @ 10mA, 100mAROHS3 Compliant无铅-------------------------
- Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/RACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)39 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-345V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-1997yes活跃1 (Unlimited)350mW-NPN45V100mA600 @ 10mA 5V2nA ICBO200mV @ 500μA, 10mAROHS3 Compliant无铅Tin330mgSILICON200mVe33EAR9945VDUAL鸥翼100mAMMBT5962Single350mWAMPLIFIERNPN100MHz45V45V8V930μm2.9mm1.3mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC847BS-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363 | 对比 |
![]() | BC847B-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE | 对比 |
![]() | BC857C-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE | 对比 |





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