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首页 全部分类 NSVMUN5212DW1T1G vs SMUN5312DW1T1G

NSVMUN5212DW1T1G备选型号: SMUN5312DW1T1G

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  • 元素配置
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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 参考标准
  • 晶体管应用
  • ON Semiconductor
    NSVMUN5212DW1T1G
    ON Semiconductor
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    250mW
    MUN52**DW1T
    6
    NPN
    Dual
    无卤素
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    60 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    22k Ω
    22k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SMUN5312DW1T1G
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    187mW
    MUN53**DW1
    6
    NPN, PNP
    Dual
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    60 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    22k Ω
    22k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    鸥翼
    AEC-Q101
    SWITCHING
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